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SI7450DP-T1-E3中文资料

SI7450DP-T1-E3图片

SI7450DP-T1-E3外观图

  • 大小：93.6KB
  • 厂家：Vishay
  • 描述： N CH MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.3A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):80mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:5.2W ;RoHS Compliant: Yes
  • 数据列表：SI7450DP
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：TrenchFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3.2A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：80 毫欧 @ 4A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：42nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
  • 功率 - 最大：1.9W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：PowerPAK? SO-8
  • 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：SI7450DP-T1-E3TR

SI7450DP-T1-E3供应商

更新时间:2023-02-20 06:22:19
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S-1170B18UC-OTDTFGSNJ54LS30JSIS407DN-T1-GE3SKY77336-13SMAJ43CASPX1117M3-L/TRSI4160DY-T1-GE3SC4501MLTRTSN74AHCT244DWRSC431CSK-1TR

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